Н7П: Сведения о результатах обязательного аудита Акты, образцы, формы, договоры КонсультантПлюс

Содержание

Белорусская история коммуникации «Луки-Энергии»

В преддверии субботнего матча «Луки-Энергии» вспомним все матчи великолукской футбольной дружины с белорусскими командами.

Взаимоотношения «Луки-Энергии» с футбольными коллективами Республики Беларусь имеет 7-летнюю историю. Начало ей было положено 7 марта 2015 года. За это время «Луки-Энергия» 16 раз встречалась с белорусскими командами, но только один матч прошёл в Великих Луках.

Самая продолжительная белорусская кампания в истории «Луки-Энергии» сложилась с представителями футбольного клуба «Нафтан», с которыми великолучане провели 6 матчей.

Трижды «Луки-Энергия» играла с молодёжным и дублирующими составами «Витебска». Дважды довелось померяться силами с «Оршей» и могилёвским «Днепром». По одному матчу великолучане провели с дублем «Минска» и речицким «Спутником». И лишь однажды великолукская команда встречалась с «Витебском», уступив ему – 0:2. Это поражение единственное в реестре «Луки-Энергии» во встрече с белорусскими футбольными коллективами, а игра стала единственно, проведённая в футбольном надувном манеже.

В единственном домашнем матче «Луки-Энергия» 31 марта 2018 года принимала «Оршу», одержав в нём победу с минимальным счётом – 1:0. Победу хозяевам принёс единственный мяч, забитый Дмитрием Белевитиным на 55-й минуте.

Первое в истории «Луки-Энергии» белорусское свидание началась сразу двумя играми 7 марта 2015 года. Это бы второй и третий товарищеские матчи великолучан на тренировочном сборе. Тремя днями ранее в Великих Луках хозяева в самом первом контрольном матче уступили «Пскову-747» – 1:2.

Любопытно, что история взаимоотношений началась именно с представителями Витебска, и в гостях. По итогам 2014 года «Витебск», занявший Чемпионате Беларуси в Первой лиге 3-е место, успешно преодолел переходной барьер и добился права играть в Высшей лиге.

После повышения в классе ФК «Витебск» и создал команду резервистов, которой предстояло принять участие в Турнире дублёров.

Молодых футболистов руководство клуба определило в молодёжную команду «Витебск-2», с задачей участия во Второй лиге.

«Витебск» выставил на матч с «Луки-Энергией» молодёжную команду. Наставник великолучан Сергей Поварещенков ответил тем же. Хозяева на 32-й минуте отрыли счёт – 1:0.

В начале второго Артём Звонарёв сравнял счёт – 1:1, а спустя десять минут Владислав Комаров вывел «Луки-Энергию» вперёд – 2:1. А ещё через десять минут автор первого мяча хозяев поставил финальную тоску в том матче – 2:2.

Следом на запасное поле ВЦСК вышли другие коллективы. У хозяев в игру вступил дубль, а у великолучан вышел основной состав. Судьбу матча решил единственный мяч, забитый Артёмом Егоровым с подачи Исы Дрбоева на 67-й минуте.

Третий поединок великолучане и витебляне, хотя допускается и название витебчане, провели между собой почти спустя два года. Великолукская команда, взявшая в 2017 году курс на ПФЛ, проводила два контрольных матча в Витебске. В первой игре 17 февраля великолучане разгромили смоленских дублёров «ЦРФСО-СмолАПО» – 4:0.

Спустя два дня, 19 февраля «Луки-Энергия» сыграла с дублем «Витебска», одержав аналогичную победу с крупным счётом – 4:0.

На 15-й минуте Павел Железняков открыл счёт – 1:0. За три минуты до перерыва Виталий Бения его удвоил – 2:0. Третий мяч в ворота хозяев на 66-й минуте отправил Сергей Иванов – 3:0. Финальную точку в той игре поставил на 73-й минуте Пароник Овсепян – 4:0.

Предстоящий в субботу, 20 февраля будет для «Луки-Энергии» 5-м очным поединком с витебскими командой.

В Витебске велуколучанам довелось провести ещё один матч с представителем Республики Беларусь. 23 марта 2019 года «Луки-Энергия» сыграла с «Оршей», ответив на её приезд годом ранее в Великие Луки. И во второй игре сильнее оказались великолучане.

Даниил Агуреев на 12-й и Александр Круподёр на 71-й принесли победу своей команде – 2:0.

Как уже было сказано выше, чаще других «Луки-Энергия» играла с новополоцким «Нафтаном» – 6 раз. В первой встрече 11 марта 2015 года великолукскую команду попытался проэкзаменовать дубль «Нафтана». Итог дебютного матча – 3 безответных мяча забитых в ворота хозяев.

В следующих 5 матчах на поле выходили основные составы, естественно с игроками, находящимися на просмотре в обеих командах. Трижды поединки завершались вничью, в двух последних играх победа была на стороне великолучан – 2:1 и 3:0.

Дважды, как и с «Оршей», «Луки-Энергия» сыграла с могилёвским «Днепром». Первый матч 7 марта 2016 года наша команда провела в Могилёве, завершив его вничью – 1:1.

Вторая игра состоялась 4 февраля 2018 года в Бобруйске и повторила итог первой – 1:1.

В Смоленске 17 марта 2016 года «Луки-Энергия» переиграла дублёров футбольного клуба «Минск» – 2:0, а 30 марта 2019 года великолучане в Горках сыграли вничью с речицким «Спутником» – 1:1. Этот коллектив стал 6-й белорусской командой.

В единственном матче, который прошёл в Великих Луках, «Луки-Энергия» переиграла с минимальным счётом «Оршу» – 1:0.

На сегодняшний момент статистика такова. В общей сложности «Луки-Энергия» провела с белорусскими командами 16 матчей, в которых одержала 8 побед, 7 завершила вничью и только один проиграла. Великолучане забили 24 мяча, белорусские футболисты нанесли только 9 результативных ударов.

Только в 3 матчах великолучане не смогли распечатать ворота соперника, сохранив свои в неприкосновенности в 9 играх.

Бомбардирские способности в составе «Луки-Энергии» продемонстрировали 19 игроков. Пятеро забили по два мяча. Это – Алексей Семёнов, Владислав Ослоновский, Сергей Иванов, Дмитрий Белевитин и Даниил Агуреев. Ещё 14 футболистов провели по одному мячу.

Реестр матчей «Луки-Энергии» с белорусскими командами:
1 07.03.2015г. «Витебск-мол» — «Луки-Энергия-мол» – 2:2 (1:0)
2 07. 03.2015г. «Витебск-дубль» — «Луки-Энергия» – 0:1 (0:0)
3 11.03.2015г. «Нафтан-д» — «Луки-Энергия» – 0:3 (0:1).
4 27.02.2016г. «Нафтан» (Новополоцк) — «Луки-Энергия» – 0:0 (0:0).
5 07.03.2016г. «Днепр» (Могилёв) — «Луки-Энергия» – 1:1 (1:1).
6 17.03.2016г. «Луки-Энергия» — «Минск-Д» – 2:0 (0:0).

7 19.02.2017г. «Витебск-Д» – «Луки-Энергия» – 0:4 (0:2).
8 25.02.2017г. «Нафтан» – «Луки-Энергия» – 0:0 (0:0).
9 04.02.2018г. «Днепр» (Могилёв) — «Луки-Энергия» – 1:1 (0:1).
10 03.03.2018г. «Нафтан» (Новополоцк) — «Луки-Энергия» – 1:1 (0:0).
11 17.03.2018г. «Нафтан» (Новополоцк) — «Луки-Энергия» – 1:2 (1:0).
12 31.03.2018г. «Луки-Энергия» — «Орша» (Орша, Беларусь) – 1:0 (0:0).
13 26.03.2019г. «Орша» (Орша) — «Луки-Энергия» – 0:2 (0:1)
14 30.03.2019г. «Спутник» (Речица) — «Луки-Энергия» – 1:1 (0:1)
15 19.02.2020г. «Нафтан» (Новополоцк) — «Луки-Энергия» – 0:3 (0:1).
16 20.

02.2021г. «Витебск» — «Луки-Энергия» – 2:0 (1:0).

Всего: И=16, В=8, Н=7, П=1, М=24-9

Владимир Богатырёв

Егоров Игорь Вячеславович — Арбитры

Годы жизни:

04.11.1968.

Гражданство: Россия

Карьера:

Завершил карьеру арбитра, последний матч в карьере провел 27.04.2012. Ростов — Терек 1:1.

место проживания: Нижний Новгород.

рост: 176.

вес: 73.

категория: ФИФА. Входит в третью группу судей УЕФА.

профессия: предприниматель, бизнесмен.

хобби: хоккей

семья:

начало судейства: 1995; второй дивизион: 1995; первый: 200; высший: 2001; ФИФА: .

карьера игрока: защитник. играл за «Химик» (Дзержинск), «Локомотив»

(Нижний Новгород), «Торпедо» (Арзамас). Сыграл 3 матча в первой лиге чемпионата СССР.

Достижения:

Двукратный (2006, 2007) победитель конкурса «СЭ» «Золотая мантия». В 2008 занял второе место, в 2010 занял третье место. В 2007 году вошёл в пятёрку лучших арбитров по версии КФА.

Матчи: 157.

Матчи с участием Спартака: 23 (6 кубок).

1. 28.04.02. Алания — Спартак 4-3 (ж.к.-6).

2. 10.07.02. Спартак — Зенит 4-3 (ж.к.-3; пен.-1).

3. 15.06.03. КР(финал)Спартак — Ростов 1-0 (ж.к.-2).

4. 19.06.03.Спартак — Сатурн 0-1 (ж.

к.-7).

5. 19.09.03. Зенит — Спартак 2-1 (ж.к.-9; 2я ж.к.-1).

6. 07.03.04. СКР Спартак — ЦСКА 1-3 (ж.к.-5).

7. 12.03.05.Спартак — Москва 0-2 (ж.к.-5; пен-1).

8. 30.07.05. Амкар — Спартак 0-0 (ж.к.-3).

9. 27.08.05. Спартак — Алания 5-1 (ж.к.-8; 2я ж.к.-1; пен-1).

10. 24.09.05. ЦСКА — Спартак 1-0 (ж.к.-3).

11. 11.03.06. СКР Спартак — ЦСКА 2-3 (ж.к.-10; 2я ж.к.-3).

12. 23.09.06.Спартак — Рубин 3-0 (ж.к.-6; пен.-1).

13. 18.11.06.

Ростов — Спартак 3-4 (ж.к.-5; пен.-1).

14. 31.03.07. Зенит — Спартак 1-3 (ж.к.-10; 2я ж.к.-2; пен.-1).

15. 15.04.07. Томь — Спартак 1-1 (ж.к.-4; пен.-1).

16. 14.07.07. Амкар — Спартак 0-1 (ж.к.-6).

17. 28.10.07. Сатурн — Спартак 0-0 (ж.к.-5).

18. 27.06.07. КР(1\16) Терек — Спартак 1-1 (ж.к.-6).

19. 29.03.08. Химки — Спартак 3-3 (ж.к.-13; 2я ж.к.-1; пен.-1).

20. 22.11.08.Спартак — Зенит 1-3 (ж.к.-3).

21. 02.05.10. Амкар — Спартак 0-2 (ж.к.-3).

22. 09.07.10. Ростов — Спартак 1-0 (ж.к.-6; 2я ж.к.)

23. 03.10.10. Анжи — Спартак 0-1 (ж.к.-5).

24. 27. 10.10. Спартак — Зенит 1-0 (ж.к.-7; пен.-1).

25. 02.04.11 Кубань — Спартак 3-1 (ж.к.-9 пен.-1).

26. 20.04.11. К/Р(1/4)Спартак — Краснодар 2-1 (ж.к.-3; 2я ж.к.)

27. 11.05.11. К/Р(1/2) Спартак — ЦСКА 3-3 (ж.к.-7).

28. 29.05.11. Зенит — Спартак 3-0 (ж.к.- 6; пен.-1).

29. 14.06.11. Томь — Спартак 1-1 (ж.к.-5).

ИТОГО: И: 29; В: 11; Н: 7; П: 11; М: 45-44.

25. 02.04.11. Кубань-Спартак Главный арбитр матча Игорь Егоров: Петреску играл на публику, а Карпин удивил.

Игорь Егоров показал за матч восемь желтых карточек, назначил пенальти и не стал обращать внимание на экспрессивного Дана Петреску. Как рефери удалось предотвратить серьезные стычки игроков на поле, избежать удалений футболистов и тренера, он рассказал в интервью корреспонденту «Советского спорта».

– Петреску бушевал весь первый тайм у кромки поля. Иногда казалось, что еще один эпизод – и вы его удалите.

– Петреску всегда все эмоционально воспринимает. Я был готов к такому поведению. Как говорится, не первый год замужем. Надо быть мудрее, понимать тренеров. Это все не более чем провокации. Если б я на эти провокации реагировал, то Петреску нужно было удалить с его места. Но все эти эпизоды – не более чем игра на публику. В то же время должен сказать, что меня сильно удивил Валерий Карпин.

– Почему?

– Обычно, когда я сужу матчи его команды, Валерий Георгиевич очень эмоционально воспринимает мою работу. Но в этот раз я бы отметил его самообладание.

– Сложилось впечатление, что, когда вы назначили пенальти, сказалось то самое давление со скамейки «Кубани»…

– Ничего подобного! Я располагался близко к эпизоду и был уверен, что это задержка. Вообще, думаю, судьи смело могут ставить себе за этот матч зачет. Мы не портили, не «сушили» игру и давали играть в футбол.

– Что думаете об эпизоде, когда на поле выбежал болельщик?

– Этот человек был спокоен. В его глазах читалось удивление: почему никто за ним не бегает, не ловит и не бьет. Хорошо, что на футбольном поле не принялись его «отоваривать».

– Его «отоварили» на беговых дорожках.

– А это уже плохо. Он сам пришел на поле, сам ушел, агрессии не проявлял… Ну, разберутся, в общем.

– С этого сезона клубы больше не могут подавать жалобы на судей. Что скажете об этом?

– Спокойнее стало. На тебя ничего не давит. Если ты сделал ошибку, то проанализируешь ее. А жалобы и протесты – это антагонизм между конкретным клубом и определенным арбитром. Большой плюс, что жалоб больше нет. Я всегда говорил и буду говорить, что российские арбитры – порядочные люди, достойно выполняющие свою работу. А ошибки случаются у всех.

Автор: «Советский спорт» 04.04.11.

29. 14.06.11. Томь — Спартак. Игорь Егоров: «Пора вставать на защиту арбитров»

Сразу после финального свистка в матче «Томь» — «Спартак» (1:1) главный тренер москвичей Валерий Карпин бросился на поле, чтобы предъявить претензии рефери Игорю Егорову. Поводом стал эпизод на 90-й минуте, завершившийся ответным голом томича Максима Канунникова.

— В чем состояли претензии Карпина, примчавшегося к вам в центральный круг?

— Якобы аут был в другую сторону.

— Но по тому, как момент был показан в телетрансляции, именно такое впечатление и создается: мяч вышел за боковую линию от томичей.

— Посмотрите внимательнее. Когда идет единоборство, мяч попадает Паршивлюку в правое колено и вылетает в аут. Мне так показалось во время игры, а после нее я дополнительно посмотрел видеозапись. Но дело ведь даже не в этом. Речь идет всего лишь об ауте — не о пенальти. Я вот о чем хочу сказать: мне неизвестно, по каким причинам простили Спаллетти. Но раз простили — тогда почему сегодня не прибежать в центр поля Карпину, а завтра — еще кому-нибудь?

— Отчего, на ваш взгляд, так нервно ведут себя некоторые тренеры? Что происходит?

— Не знаю, я лишь футбольный арбитр. Арбитр, который вытягивает сложные матчи, а его пытаются обвинять. Непонятно только, в чем и за что.

— Вы не первый год судите многие напряженные и важные матчи, дерби. Сейчас, когда закончил судить Александр Гвардис и потерял былую форму Станислав Сухина, у которого к тому же случилась трагедия в семье, ситуация для вас стала еще сложнее. Не надоело тащить на себе чемпионат за чемпионатом?

— Судьи — это тоже одна команда, семнадцатая команда чемпионата. На самом деле я горжусь, что мне доверяют такие матчи, рад этому. И не считаю, что допускаю какие-либо простые или, наоборот, очень важные ошибки.

Что касается игры «Динамо» — «Зенит», то там было предостаточно оснований, чтобы добавить еще минуту. Если же брать сегодняшнюю встречу, то в чем я должен себя винить? Почему на меня стали так реагировать? Может, приелся? Карпин вот бросил сегодня: «Мы при тебе все подряд проигрываем». Но я здесь ни при чем, могу честно сказать.

— Не возникала мысль отказаться судить игры с участием «Зенита» или «Спартака»? Есть несколько молодых арбитров с немосковской и непитерской пропиской. Пусть им дадут шанс тренироваться, набираясь опыта, на зенитовцах и спартаковцах.

— В ближайшее время, думаю, с «Зенитом» и «Спартаком» я и так не встречусь. А время пройдет — и страсти улягутся. Все-таки сейчас преобладают эмоции. Мне кажется, какого-то чересчур негативного отношения к моей кандидатуре нет.

— Понятно, что тренеры «Зенита» после игры в Химках вели себя неправильно. Понятно, что дело либо в незнании правил, либо в нервозной обстановке, либо в желании свалить все на судей, либо во всем перечисленном вместе взятом. Но все же, кто и каким образом в подобных ситуациях должен вставать на защиту арбитров и гасить страсти?

— После игры предыдущего тура я описал поведение тренеров «Зенита» в рапорте. Поверьте, если бы наш контрольно-дисциплинарный комитет отреагировал быстро, то сегодня Карпин не стал бы себя так вести. Это мое мнение. Да, возможно, я заблуждаюсь и ошибаюсь. Но в любом случае считаю, что уже пора вставать на защиту не только игроков, но и арбитров. Именно в таких ситуациях, которые все мы в эти дни видели.

МЯЧ ИЗ АУТА ДОЛЖНЫ БЫЛИ ВВОДИТЬ СПАРТАКОВЦЫ?
Эпизод этот мог сложиться совершенно иначе, прими Егоров другое решение по поводу того, какая из команд должна вводить мяч из аута.

Дело было так. Мяч после длинной передачи футболиста «Томи» перелетел по диагонали всю спартаковскую половину поля и выскочил за боковую линию, не коснувшись (если судить по телетрансляции) ни Харитонова, ни Паршивлюка. Однако Егоров, находившийся на значительном расстоянии, счел, что мяч попал спартаковцу в коленку. Харитонов быстро ввел мяч в игру, бросив его Канунникову. Нападающий хозяев вошел в штрафную — и точно пробил.

ВЫДЕРЖКА ИЗ ПРОТОКОЛА МАТЧА, ВПИСАННАЯ СУДЬЕЙ ЕГОРОВЫМ
«После окончания игры главный тренер «Спартак» Москва В.Г.Карпин вышел в центр поля и сопровождал судейскую бригаду с поля, высказывая свое несогласие с решениями арбитра в ходе игры, и в эмоциональном состоянии касался руками главного судьи».

Автор: «Спорт-Экспресс» 15.06.11.

Страницы: ←1 2345678910→из 18

Процесс литографии

7 нм — WikiChip

1 нм
2 нм
3 нм
5 нм
7 нм
10 нм
14 нм
16 нм
20 нм
22 нм
28 нм
32 нм
40 нм
45 нм
55 нм
65 нм
80 нм
90 нм
110 нм
130 нм
150 нм
180 нм
220 нм
240 нм
250 нм
280 нм
350 нм
500 нм
600 нм
650 нм
700 нм
750 нм
800 нм
1 мкм
1,2 мкм
1,3 мкм
1,5 мкм
2 мкм
2,5 мкм
3 мкм
3,5 мкм
5 мкм
6 мкм
7 мкм
8 мкм
10 мкм
16 мкм
20 мкм
50 мкм

V · D · E

. Массовое производство интегральных схем, изготовленных с использованием 7-нм техпроцесса, началось в 2018 году. К 2020/21 году передовые литейные производства будут поэтапно отказываться от этого техпроцесса, где он будет заменен 5-нм узлом.

Термин «7 нм» — это просто коммерческое название поколения определенного размера и его технологии, и не представляет собой какую-либо геометрию транзистора.

Содержание

1 Обзор
- 1.1 Плотность
2 Промышленность
- 2.1 Интел
  - 2.1.1 Интел 7
    - 2.1.1.1 Intel 7 Ультра
- 2.2 ТСМС
  - 2.2.1 N7
    - 2.2.1.1 Стандартные ячейки
  - 2.2.2 N7P
  - 2.2.3 N7+
- 2.3 Самсунг
  - 2.3.1 7LPE
  - 2.3.2 7ЛПП
- 2.4 GlobalFoundries
  - 2.4.1 7LP
  - 2.4.2 7HPC
3 микропроцессора 7 нм
4 микроархитектуры 7 нм
5 См. также
6 Библиография

Обзор[править]

Впервые представлен крупными литейными заводами в 2018-19 гг.Во временном интервале 7-нанометровый технологический процесс характеризуется использованием транзисторов FinFET с шагом ребер в 30 нанометров и самым плотным металлическим шагом в верхних 30 или 50 нанометров. Из-за небольших размеров элементов для некоторых слоев пришлось использовать четырехъядерный паттерн. Этот процесс был введен как раз тогда, когда литография EUV была готова к массовому производству, поэтому некоторые литейные заводы использовали EUV, а другие нет.

Плотность[править]

С точки зрения исходной плотности на уровне ячеек, 7-нанометровый узел имеет плотность кремния между 90–102 миллиона транзисторов на квадратный миллиметр, согласно собственному анализу WikiChip.

Промышленность[править]

В настоящее время четыре компании планируют или разрабатывают 7-нанометровый узел: Intel, TSMC, Samsung и SMIC.

		Intel		TSMC		Samsung		GlobalFoundries
Process		P1276 (CPU), P1277 (SoC)		N7, N7P, N7+		7LPE, 7LPP		~~7LP, 7HP~~
Production		2021		April 2018		April 2019		Cancelled
Litho	Lithography	EUV		DUV ⇒ EUV		EUV		DUV ⇒ EUV
Litho	Immersion Экспозиция			SADP ⇒ SE (EUV) DP (193i)		SE (EUV) DP (193i)		SE (EUV) D0006		SADP ⇒ SE (EUV) DP (193i)
Wafer	Type	Bulk
Wafer	Size	300 mm
xTor	Type			FinFET
xTor	Voltage
		Value	10 nm Δ	Value	10 nm Δ	Value	10 nm Δ	Value	14 nm Δ
Fin	Pitch			30 nm	0. 83x	27 nm	0.64x	30 nm	0.625x
	Width			6 nm	1.00x
	Height			52 nm	1.24x
Gate Length (L _g )						8/10 nm
Contacted Gate Pitch (CPP)				64 nm (HP) 57 nm (HD)	0.82x	60 nm (HP) 54 nm (HD)	0.79x	56 nm	0.72x
Minimum Metal Pitch (MMP)				40 nm	0.95x	36 nm	0.75x	40 nm	0,625x
Статическое ОЗУ	High-Perf (HP)					0.032 µm²	0. 65x	0.0353 µm²	0.44x
	High-Density (HD)			0.027 µm²	0.64x	0.026 µm²	0.65x	0.0269 µm²	0.42x
	Low-Voltage (LV)

Intel[edit]

Intel 7[edit]

Intel 7 Ultra[править]

Новая кривая V-F для усовершенствованного процесса Intel 7.

Intel представила расширенную версию процесса Intel 7 в конце 2022 года с выпуском процессоров Core 13-го поколения на базе микроархитектуры Raptor Lake. Новый процесс, получивший внутреннее прозвище «Intel 7 Ultra» , представляет собой полное обновление PDK по сравнению с тем, который используется Alder Lake, их архитектурой SuperFin Transistor 3-го поколения. Intel заявляет, что этот процесс позволяет получить транзисторы со значительно лучшей мобильностью каналов. Компания заявляет, что на самом верхнем конце кривой V-F пиковая частота теперь почти на 1 ГГц выше. Сама кривая была улучшена, сдвинув частоты предыдущего поколения примерно на 200 МГц при напряжении ISO или, альтернативно, снизив напряжение более чем на 50 мВ при частоте ISO.

TSMC[править]

TSMC начала массовое производство своего 7-нанометрового узла N7 в апреле 2018 года. Хотя TSMC выпустила 10-нанометровый узел годом ранее, компания считала его 10-нм узлом недолговечным и предназначалась для обучения узлу на пути к 7. В начале 2019 года TSMC представила вторую версию технологического процесса. его процесс N7 называется N7P , что обеспечивает дополнительные улучшения производительности. С появлением высокопроизводительных машин EUV, готовых к массовому производству, TSMC представила третий вариант под названием 9.0122 N7+ , использующий EUV.

N7[править]

Обзор N7

Оригинальный TSMC 7-нанометровый процесс N7 был представлен в апреле 2018 года. По сравнению с собственной 16-нанометровой технологией, TSMC утверждает, что ее 7-нанометровый узел обеспечивает повышение скорости примерно на 35-40%. или на 65% ниже мощность. Говорят, что по сравнению с 10-нм узлом с половинным узлом N7 обеспечивает повышение скорости на ~ 20% или снижение энергопотребления на ~ 40%. Говорят, что с точки зрения плотности N7 обеспечивает улучшение в 1,6 и 3,3 раза по сравнению с N10 и N16 соответственно. N7 в значительной степени основан на всех предыдущих процессах FinFET, которые компания использовала ранее. С этой целью это FinFET четвертого поколения, HKMG пятого поколения, последний затвор, оксидный процесс с двумя затворами.

N7 PPA против N16
Скорость при изо-мощности	Мощность при скорости ISO	Плотность
~30%	~55%	~3,3x
N7 PPA против N10
Скорость при изо-мощности	Мощность при скорости ISO	Плотность
~20%	~40%	~1,6x

Вт _эфф для TSMC 16, 10 и 7 нм.

Для N7 TSMC продолжала использовать иммерсионную литографию ArF с длиной волны 193 нм в глубоком ультрафиолете (DUV). Ограничения i193 диктовали некоторые правила проектирования процесса. Для транзистора шаг затвора был дополнительно уменьшен до 57 нм, однако шаг межсоединений был остановлен на отметке 40 нм, чтобы сохранить структуру в точке SADP. Правила проектирования были тщательно разработаны, чтобы оставаться в рамках двойного шаблона. Единичный паттерн был немного продвинут до точки 76 нанометров. Правила проектирования для N7 показаны ниже.

Правила проектирования TSMC N7
Слой	Шаг (нм)	Моделирование	Примечания
Плавник	30	СКП
Поли	57	САДП
М0	40	САДП	Мкс
М1	40	САДП	1x
М2	40	САДП	1x
М3	40	САДП	1x
М4	40	САДП	1x
М5	76	Одноместный	1,9x
М6	76	Одноместный	1,9x
М7	76	Одноместный	1,9x
М8	76	Одноместный	1,9x
М9	76	Одноместный	1,9x
М10	124	Одноместный	3,1x
М11, М12	720	Одноместный	18x

Стоит отметить, что агрессивное масштабирование шага ребер привело к довольно плотным битовым ячейкам SRAM. Размер битовой ячейки SRAM высокой плотности N7 составляет 0,027 мкм².

Распространение элементов SoC Apple A12 (MSS Corp). Видны кобальтовые контакты.

Профиль транзистора также был улучшен. Как и в 10-нанометровом техпроцессе Intel, TSMC представила кобальтовое наполнение траншейных контактов, заменив вольфрамовые контакты. Это приводит к снижению сопротивления в этой области на 50%. Некоторые преимущества масштабирования площади и затрат были достигнуты за счет масштабирования шага / высоты ребра. Продолжая масштабировать ширину ребра, вы получаете более узкий канал, в то время как увеличение высоты для поддержания хорошей эффективной ширины делается для того, чтобы улучшить характеристики короткого канала и подпороговый наклон (т. е. улучшить Ieff / Ceff), но это также ухудшает общие паразитные характеристики. Имейте в виду, что в целом задержка устройства CV/I все же лучше, потому что собственная емкость, такая как Cgate и Cov, по-прежнему зависит от Ieff.

Еще один способ визуализировать эффект масштабирования ширины и высоты — использовать эффективную ширину. На графике, показанном слева, мы нанесли эффективную ширину от 16 нанометров TSMC до текущего 7-нанометрового узла. По сравнению с N16, N7 имеет более чем в два раза большую эффективную ширину канала.

Для этого процесса были разработаны различные многовольтные устройства с диапазоном Vt около 200 мВ.

Стандартные ячейки Эти клетки имеют высоту 240 нм и 300 нм соответственно. До выхода на полную производственную мощность у TSMC изначально было 9Вариант T HP, который опирался на 57-нм CPP. Эта библиотека в конечном итоге устарела в пользу 64-нм библиотеки CPP 7.5T, которая сейчас используется в массовом производстве различными компаниями. Обратите внимание, что модели 7,5T и 9T схожи по мощности и производительности. Некоторые ранние проекты, которые начинались с библиотеки 9T, продолжали использовать ее, несмотря ни на что.

Тип	Высокая плотность	Высокая производительность
Название	h340 HD	h400 HP	H460 HP
FIN PINKE	30 нм
Металл	40 нм (наименьшая шага с DP) 76 нм (самый маленький шаг с SP)
	699595959595959595959595959595959595959595959595959595959595959595995995995959995995999н.	64 nm	57 nm
Height	240 nm 8-fin x 30 nm	300 nm 10-fin x 30 nm	360 nm 12-fin x 30 nm
Tracks	6 Т	7,5 т	9 т

Qualcomm Snapdragon 855Ieff разница между ячейками HD и HP. (VLSI 2019)

Qualcomm сообщила, что на собственной SoC (Snapdragon 855) высокопроизводительные элементы обеспечивают примерно на 10–13 % более высокий эффективный управляющий ток (Ieff), хотя и за счет более герметичных транзисторов. Основываясь на собственном анализе WikiChip, плотные ячейки имеют около 91,2 МТр/мм², в то время как менее плотные высокопроизводительные ячейки рассчитываются примерно на уровне 65 МТр/мм².

N7P[править]

Улучшения N7P (2-го поколения) по сравнению с N7 (1-го поколения). (VLSI 2019)

В 2019 году TSMC представила процесс N7 2-го поколения под названием N7 Performance-Enhanced ( N7P ). N7P — это оптимизированная версия процесса TSMC N7. с этой целью он остается процессом, основанным на DUV, с соблюдением тех же правил проектирования и полностью IP-совместим с N7. N7P вводит оптимизации FEOL и MOL, которые, как говорят, приводят либо к повышению производительности на 7% при мощности изо, либо к снижению энергопотребления до 10% при скорости изо.

N7 PPA против N7P
Скорость при изо-мощности	Мощность @ ISO-скорость
~7%	~10%

Для своего процесса второго поколения TSMC внесла некоторые дополнительные оптимизации, включая оптимизацию профиля ребер, эпиоптимизацию, оптимизацию сопротивления MOL, уменьшение емкости FEOL и оптимизацию металлических затворов. Кроме того, при той же утечке на высоких частотах 7-нм техпроцесс второго поколения улучшил Vmin на 50 мВ.

N7+[править]

Узел N7+ — первая технология TSMC, использующая литографию EUV. Он не связан ни с процессами N7, ни с N7P и не совместим с IP ни с одним из них, что требует повторной реализации (новой физической схемы и проверки). N7+ поступил в массовое производство во втором квартале 2019 года и использует EUV для четырех критических слоев. Говорят, что по сравнению с процессом TSMC N7, N7+ обеспечивает повышение плотности примерно в 1,2 раза. Также сообщается, что N7+ обеспечивает на 10% более высокую производительность при изо-мощности или, в качестве альтернативы, до 15% более низкое энергопотребление при изо-производительности. На бумаге N7+ кажется немного лучше, чем N7P, хотя это достигается за счет повторной реализации дизайна.

N7 PPA против N7+
Скорость при изо-мощности	Мощность при скорости ISO	Плотность
~10%	~15%	1,2x

Samsung[править]

Samsung будет использовать EUVL для своего 7-нм узла и, таким образом, станет первой, кто представит эту новую технологию после более чем десятилетней разработки. 24 мая 2017 года Samsung выпустила пресс-релиз своей обновленной дорожной карты. Из-за задержек с введением EUVL Samsung представит новый процесс, называемый 8-нм LPP, чтобы преодолеть разрыв между 10-нм и 7-нм. Процесс будет производиться без использования EUVL и будет иметь немного уменьшенный размер транзистора.

7LPE[править]

7LPP[править]

GlobalFoundries[править]

Примечание.

30 мая 2017 г. старший вице-президент GlobalFoundries и глава бизнес-подразделения CMOS Грегг Бартлетт объявил об обновленной дорожной карте. Вместо EUV компания будет использовать множественный паттерн 193i для своего 7-нм узла. Компания планирует выпустить первую ленту во второй половине 2018 года, а массовое производство начнется в 2019 году.. Бартлетт отметил, что GF переключится на EUVL, когда будет готово.

7-нм техпроцесс включает SAQP для FEOL и двойную структуру для BEOL. GlobalFoundries заявляет об улучшении плотности в 2,8 раза по сравнению с их 14-нм техпроцессом и повышении производительности на 40% или снижении энергопотребления на 55%. Будут разработаны две версии процесса: версия с низким энергопотреблением для мобильных приложений. И высокопроизводительная версия для настольных и серверных чипов.

7LP[править]

7HPC[править]

Микропроцессоры 7 нм[править]

PEZY
ПЕЗИ-SC3
МедиаТек
Гелио М70
РАЗМЕР 1000
Размер 800U
Размерность 1000+
Размер 800
яблоко
А12
А12Х
А13
HiSilicon (Хуавэй)
990 4G/5G
980
810
Львиный зев (Qualcomm)
Львиный зев 765G
855
865
870
Львиный зев 865+
Exynos (Самсунг)
990
9825

Этот список неполный; Вы можете помочь, расширив это.

Микроархитектуры 7 нм[править]

AMD
Вега 20
Нави
Дзен 2
Дзен 3
Ампер
Ртуть
Эсперанто
ET-миньон
ET-Maxion
Интел
Гранитные пороги
Метеоритное озеро
~~Knights Peak~~

См.

	Intel	TSMC	Samsung	GlobalFoundries
Process	P1276 (CPU), P1277 (SoC)	N7, N7P, N7+	7LPE, 7LPP	~~7LP, 7HP~~
Production	2021	April 2018	April 2019	Cancelled
Litho	Lithography	EUV	DUV ⇒ EUV	EUV	DUV ⇒ EUV
Immersion Exposure		SADP ⇒ SE (EUV) DP (193i)	SE (EUV) DP (193i)	SADP ⇒ SE (EUV) DP (193i)
Wafer	Type	Bulk
Size	300 mm
xTor	Type		FinFET
Voltage
	Value	10 nm Δ	Value	10 nm Δ	Value	10 nm Δ	Value	14 nm Δ
Fin	Pitch			30 nm	0. 83x	27 nm	0.64x	30 nm	0.625x
Width			6 nm	1.00x
Height			52 nm	1.24x
Gate Length (L _g )					8/10 nm
Contacted Gate Pitch (CPP)			64 nm (HP ) 57 nm (HD)	0.82x	60 nm (HP) 54 nm (HD)	0.79x	56 nm	0.72x
Minimum Metal Pitch (MMP)			40 нм	0.95x	36 nm	0.75x	40 nm	0.625x
SRAM	High-Perf (HP)					0.032 µm²	0.65x	0. 0353 µm²	0.44x
High-Density (HD)			0.027 µm²	0.64x	0.026 µm²	0.65x	0.0269 µm²	0.42x
Low-Voltage (LV)

Также [Edit]
История технологии процесса Intel
Bibliography [Edit]
IBMENTRICE Confereneries, Conference Confereneries, Conference Confereneries, Conference, Conference Confereneries. ).
Samsung, 2016 г. 62-я Международная встреча IEEE по электронным устройствам (IEDM).
TSMC, Международная конференция IEEE по твердотельным схемам (ISSCC), 2017 г.
Qualcomm, TSMC, Симпозиум по технологиям и схемам СБИС, 2019 г. (VLSI 2019).
Процесс литографии 7 нм — WikiChip
1 нм
2 нм
3 нм
5 нм
7 нм
10 нм
14 нм
16 нм
20 нм
22 нм
28 нм
32 нм
40 нм
45 нм
55 нм
65 нм
80 нм
90 нм
110 нм
130 нм
150 нм
180 нм
220 нм
240 нм
250 нм
280 нм
350 нм
500 нм
600 нм
650 нм
700 нм
750 нм
800 нм
1 мкм
1,2 мкм
1,3 мкм
1,5 мкм
2 мкм
2,5 мкм
3 мкм
3,5 мкм
5 мкм
6 мкм
7 мкм
8 мкм
10 мкм
16 мкм
20 мкм
50 мкм
v · d · e
Массовое производство интегральных схем, изготовленных с использованием 7-нм техпроцесса, началось в 2018 году. К 2020/21 году передовые литейные производства будут поэтапно отказываться от этого техпроцесса, где он будет заменен 5-нм узлом.
Термин «7 нм» — это просто коммерческое название поколения определенного размера и его технологии, а не представляет собой какую-либо геометрию транзистора.
Содержание
1 Обзор
1.1 Плотность
2 Промышленность
2.1 Интел
2.1.1 Интел 7
2.1.1.1 Intel 7 Ультра
2.2 ТСМС
2.2.1 N7
2.2.1.1 Стандартные ячейки
2.2.2 N7P
2.2.3 N7+
2.3 Самсунг
2.3.1 7ЛПЭ
2.3.2 7ЛПП
2.4 GlobalFoundries
2.4.1 7LP
2.4.2 7HPC
3 микропроцессора 7 нм
4 микроархитектуры 7 нм
5 См. также
6 Библиография
Обзор.
30 или менее 50 нанометров. Из-за небольших размеров элементов для некоторых слоев пришлось использовать четырехъядерный паттерн. Этот процесс был введен как раз тогда, когда литография EUV была готова к массовому производству, поэтому некоторые литейные заводы использовали EUV, а другие нет.
Плотность[править]
С точки зрения исходной плотности на уровне ячеек, 7-нанометровый узел имеет плотность кремния от 90 до 102 миллионов транзисторов на квадратный миллиметр, согласно собственному анализу WikiChip.
Промышленность[править]
В настоящее время четыре компании планируют или разрабатывают 7-нанометровый узел: Intel, TSMC, Samsung и SMIC.
Intel TSMC Samsung GlobalFoundries
Process P1276 (CPU), P1277 (SoC) N7, N7P, N7+ 7LPE, 7LPP ~~7LP, 7HP~~
Production 2021 April 2018 April 2019 Cancelled
Litho Lithography EUV DUV ⇒ EUV EUV DUV ⇒ EUV
Immersion
Exposure SADP ⇒ SE (EUV)
DP (193i) SE (EUV)
DP (193i) SADP ⇒ SE (EUV)
DP (193i)
Wafer Type Bulk
Size 300 mm
xTor Type FinFET
Voltage
Value 10 nm Δ Value 10 nm Δ Value 10 nm Δ Value 14 nm Δ
Fin Pitch 30 nm 0. 83x 27 nm 0.64x 30 nm 0.625x
Width 6 nm 1.00x
Height 52 nm 1.24x
Gate Length (L _g ) 8/10 nm
Contacted Gate Pitch (CPP) 64 nm (HP )
57 nm (HD)
0.82x 60 nm (HP)
54 nm (HD)
0.79x 56 nm 0.72x
Minimum Metal Pitch (MMP) 40 нм 0.95x 36 nm 0.75x 40 nm 0.625x
SRAM High-Perf (HP) 0.032 µm² 0.65x 0. 0353 µm² 0.44x
High-Density (HD) 0.027 µm² 0.64x 0.026 µm² 0.65x 0.0269 µm² 0.42x
Low-Voltage (LV)
Intel[править]
Intel 7[править]
Intel 7 Ultra[править]
Новая кривая Intel V-F 7 для процесса Enhance.
Intel представила расширенную версию процесса Intel 7 в конце 2022 года с выпуском процессоров Core 13-го поколения на базе микроархитектуры Raptor Lake. Новый процесс, получивший внутреннее прозвище «Intel 7 Ultra» , представляет собой полное обновление PDK по сравнению с тем, который используется Alder Lake, их архитектурой SuperFin Transistor 3-го поколения. Intel заявляет, что этот процесс позволяет получить транзисторы со значительно лучшей мобильностью каналов. Компания заявляет, что на самом верхнем конце кривой V-F пиковая частота теперь почти на 1 ГГц выше. Сама кривая была улучшена, сдвинув частоты предыдущего поколения примерно на 200 МГц при напряжении ISO или, альтернативно, снизив напряжение более чем на 50 мВ при частоте ISO.
TSMC[править]